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NTE261

更新时间： 2024-11-01 22:49:51

品牌	Logo	应用领域
NTE		晶体放大器晶体管达林顿晶体管功率放大器
页数	文件大小	规格书
2页	28K
描述
Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier

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NTE261 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SFM
包装说明：	TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	1.66
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	1000	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	65 W
最大功率耗散 (Abs)：	65 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NTE261 数据手册

NTE261 (NPN) & NTE262 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

Darlington Power Amplifier

Description:

The NTE261 (NPN) and NTE262 (PNP) are complementary silicon Darlington power transistors in

a TO220 type package designed for general purpose amplifier and low–speed switching applications.

Features:

D High DC Current Gain: h_FE= 2500 Typ @ I_C= 4A

D Collector–Emitter Sustaining Voltage: V_CEO(sus)= 100V Min @ 100mA

D Low Collector–Emitter Saturation Voltage:

_CE(sat)= 2V Max @ I_C= 3A

= 4V Max @ I_C= 5A

D Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistor

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V

Collector–Base Voltage, V_CB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V

Emitter–Base Voltage, V_EB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5A

Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8A

Base Current, I_B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120mA

Total Power Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.52W/°C

Total Power Dissipation (T_A= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.016W/°C

Unclamped Inductive Load Energy (Note 1), E . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mJ

Operating Junction Temperature range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.92°C/W

Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62.5°C/W

Note 1. I_C= 1A, L = 100mH, P.R.F. = 10Hz, V_CC= 20V, R_BE= 100Ω.

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