NTE26

更新时间： 2024-11-02 07:09:51

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NTE		晶体音频放大器小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	23K
描述
Silicon NPN Transistor Low Noise Audio Amplifier

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NTE26 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.74	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	350	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

NTE26 数据手册

NTE26

Silicon NPN Transistor

Low Noise Audio Amplifier

Features:

D V_CEO= 120V (Min)

D Low Noise: = 1dB (Typ), 10dB (Max)

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA

Emitter Current, I_E. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –100mA

Collector Dissipation, P_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mW

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +125°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +125°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

Symbol

I_CBO

Test Conditions

V_CB= 120V, I_E= 0

Min Typ Max Unit

–

0.1

700

0.3

–

µA

I_EBO

V_EB= 5V, I_C= 0

h_FE

V_CE= 6V, I_C= 2mA

350

–

Collector–Emitter Saturation Voltage V_CE(sat)I_C= 10mA, I_B= 1mA

–

MHz

Current Gain–Bandwidth Product

Output Capacitance

Noise

f_T

V_CE= 6V, I_C= 1mA

–

100

3.0

1.0

C_ob

V_CB= 10V, I_E= 0, f = 1MHz

–

V_CE= 6V, I_C= 0.1mA, f = 1kHz,

r_g= 10kΩ

–

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