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NTE2596

更新时间: 2024-11-01 22:40:39
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NTE 晶体开关晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 27K
描述
Silicon NPN Transistor High Voltage, High Current Switch

NTE2596 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.8Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):50 A集电极-发射极最大电压:500 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):8
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):3.5 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

NTE2596 数据手册

 浏览型号NTE2596的Datasheet PDF文件第2页 
NTE2596  
Silicon NPN Transistor  
High Voltage, High Current Switch  
Features:  
D High Breakdown Voltage, High Reliability  
D Fast Switching Speed  
D Wide ASO Range  
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Collector–to–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V  
Collector–to–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V  
Emitter–to–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7V  
Collector Current, IC  
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A  
Peak (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70A  
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14A  
Collector Dissipation, PC  
TA = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.5W  
TC = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300W  
Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Note 1. Pulse Test: Pulse Width 300µs, Duty Cycle 10%.  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Collector Cutoff Current  
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
Symbol  
ICBO  
Test Conditions  
VCB = 500V, IE = 0  
VEB = 5V, IC = 0  
Min Typ Max Unit  
10  
10  
50  
µA  
µA  
IEBO  
hFE(1) VCE = 5V, IC = 4.8A  
hFE(2) VCE = 5V, IC = 24A  
20  
8
Collector–Emitter Saturation Voltage VCE(sat) IC = 24A, IB = 4.8A  
Base–Emitter Saturation Voltage VBE(sat) IC = 24A, IB = 4.8A  
1.0  
1.5  
V
V

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