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NTE2594

更新时间： 2024-11-01 22:40:39
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体开关晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 24K
描述
Silicon NPN Transistor High Voltage, High Current Switch

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NTE2594 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：2.17
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：15 A
集电极-发射极最大电压：500 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：8JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：55 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：18 MHz
Base Number Matches：1

NTE2594 数据手册

 浏览型号NTE2594的Datasheet PDF文件第2页 
NTE2594  
Silicon NPN Transistor  
High Voltage, High Current Switch  
Features:  
D High Breakdown Voltage, High Reliability  
D Fast Switching Speed  
D Wide ASO  
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7V  
Collector Current, IC  
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A  
Pulsed (PW ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 10%) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25A  
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A  
Collector Dissipation, PC  
TA = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3W  
TC = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55W  
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Collector Cutoff Current  
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
Symbol  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
I
V
V
V
V
V
V
= 500V, I = 0  
–
–
–
–
10  
10  
50  
–
µA  
µA  
CBO  
CB  
EB  
CE  
CE  
CE  
CB  
E
I
= 5V, I = 0  
C
EBO  
h
FE  
= 5V, I = 1.2A  
15  
8
–
C
= 5V, I = 6A  
–
C
Gain Bandwidth Product  
f
T
= 10V, I = 1.2A  
–
18  
160  
–
–
MHz  
pF  
V
C
Output Capacitance  
C
ob  
= 10V, f = 1MHz  
–
–
Collector–Emitter Saturation Voltage  
Base–Emitter Saturation Voltage  
Collector–Base Breakdown Voltage  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
V
CE(sat)  
I = 6A, I = 1.2A  
–
1.0  
1.5  
–
C
B
V
BE(sat)  
I = 6A, I = 1.2A  
–
–
V
C
B
V
I = 1mA, I = 0  
800  
500  
7
–
V
(BR)CBO  
C
E
V
I = 5mA, R = ∞  
–
–
V
(BR)CEO  
C
BE  
V
I = 1mA, I = 0  
–
–
V
(BR)EBO  
E
C
12

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