NTE2592

更新时间： 2024-11-01 22:40:39

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NTE		晶体晶体管功率双极晶体管电视放大器局域网
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描述
Silicon NPN Transistor Horizontal Output for HDTV

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NTE2592 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SFM
包装说明：	TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.41	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	0.015 A
集电极-发射极最大电压：	1800 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	6 MHz	Base Number Matches：	1

NTE2592 数据手册

NTE2592

Silicon NPN Transistor

Horizontal Output for HDTV

Features:

D High Breakdown Voltage: V_(BR)CBO= 2000V Min

D Isolated TO220 Type Package

Absolute Maximum Ratings: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2000V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1800V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15mA

Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA

Collector Power Dissipation, P_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W

Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Maximum Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8.3°C/W

Electrical Characteristics: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

Symbol

I_CBO

I_EBO

h_FE

Test Conditions

V_CB= 1800V, I_E= 0

V_EB= 4V, I_C= 0

Min Typ Max Unit

–

µA

DC Current Gain

V_CE= 5V, I_C= 300µA

V_CE= 10V, I_C= 300µA

–

Gain Bandwidth Product

Collector–Emitter Saturation Voltage

Base–Emitter Saturation Voltage

f_T

MHz

V_CE(sat)I_C= 600µA, I_B= 120µA

V_BE(sat)I_C= 600µA, I_B= 120µA

–

Collector–Base Breakdown Voltage V_(BR)CBOI_C= 100µA, I_E= 0

Collector–Emitter Breakdown Voltage V_(BR)CEOI_C= 100µA, R_BE= ∞

2000

1800

–

Emitter–Base Breakdown Voltage

Output Capacitance

V_(BR)EBOI_E= 10µA, I_C= 0

C_obV_CB= 100V, f = 1MHz

–

1.8

–

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