NTE2590

更新时间： 2024-11-01 22:40:39

品牌	Logo	应用领域
NTE		晶体开关放大器晶体管功率双极晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	24K
描述
Silicon NPN Transistor High Voltage Amp/Switch

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NTE2590 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	2.12	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	集电极-发射极最大电压：	900 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	1.2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	6 MHz	Base Number Matches：	1

NTE2590 数据手册

NTE2590

Silicon NPN Transistor

High Voltage Amp/Switch

Features:

D High Breakdown Voltage, High Reliability

D Low Output Capacitance

D Wide ASO Range

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1700V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 900V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA

Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150mA

Collector Power Dissipation, P_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2W

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

Symbol

I_CBO

I_EBO

h_FE

Test Conditions

V_CB= 900V, I_E= 0

Min Typ Max Unit

–

1.0

120

–

µA

V_EB= 4V, I_C= 0

DC Current Gain

V_CE= 5V, I_C=2mA

V_CE= 10V, I_C= 2mA

V_CB= 100V, f = 1MHz

–

Gain–Bandwidth Product

Output Capacitance

f_T

MHz

C_ob

–

2.0

–

Collector Emitter Saturation Voltage

Base Emitter Saturation Voltage

V_CE(sat)I_C= 5mA, I_B= 1mA

V_BE(sat)I_C=5A, I_B= 1mA

–

Collector Base Breakdown Voltage V_(BR)CBOI_C= 1mA, I_E= 0

1700

900

–

Collector Emitter Breakdown Voltage V_(BR)CEOI_C= 1mA, R_BE= ∞

–

Emitter Base Breakdown Voltage

V_(BR)EBOI_E= 1mA, I_C= 0

–

中文翻译

下载PDF

与NTE2590相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE2591	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor High Voltage Amp/Switch
NTE2592	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor Horizontal Output for HDTV
NTE2593	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor High Voltage Amp/Switch
NTE2594	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor High Voltage, High Current Switch
NTE2596	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor High Voltage, High Current Switch
NTE2597	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor High Voltage, High Speed Switch
NTE2598	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor High Voltage, High Current Switch
NTE26	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor Low Noise Audio Amplifier
NTE261	NTE	获取价格	Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier
NTE262	NTE	获取价格	Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier

与NTE2590相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

6
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

3
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

23
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

24

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NTE2590

NTE2590 技术参数

NTE2590 数据手册

与NTE2590相关器件

与NTE2590相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NTE2590

NTE2590 技术参数

NTE2590 数据手册

与NTE2590相关器件

与NTE2590相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？