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NTE259

更新时间： 2024-11-02 21:15:39

品牌	Logo	应用领域
NTE		局域网放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	58K
描述
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-127, Plastic/Epoxy, 3 Pin

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NTE259 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.89
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	8 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	2500	JEDEC-95代码：	TO-127
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	75 W
最大功率耗散 (Abs)：	75 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NTE259 数据手册

NTE2592

Silicon NPN Transistor

Horizontal Output for HDTV

TO−220 Full Pack

Features:

D High Breakdown Voltage: V_(BR)CBO= 2000V Min

Absolute Maximum Ratings: (T_C= +25C unless otherwise specified)

Collector−Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2000V

Collector−Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1800V

Emitter−Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15mA

Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA

Collector Power Dissipation, P_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W

Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −55 to +150C

Maximum Thermal Resistance, Junction−to−Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8.3C/W

Electrical Characteristics: (T_C= +25C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

Collector Cutoff Current

I_CBO

V_CB= 1800V, I_E= 0

−

A

Emitter Cutoff Current

I_EBO

h_FE

f_T

V_EB= 4V, I_C= 0

−

DC Current Gain

V_CE= 5V, I_C= 300A

V_CE= 10V, I_C= 300A

−

Gain Bandwidth Product

Collector−Emitter Saturation Voltage

Base−Emitter Saturation Voltage

MHz

V_CE(sat)I_C= 600A, I_B= 120A

V_BE(sat)I_C= 600A, I_B= 120A

−

Collector−Base Breakdown Voltage V_(BR)CBOI_C= 100A, I_E= 0

Collector−Emitter Breakdown Voltage V_(BR)CEOI_C= 100A, R_BE= 

2000

1800

−

Emitter−Base Breakdown Voltage

V_(BR)EBOI_E= 10A, I_C= 0

C_obV_CB= 100V, f = 1MHz

−

Output Capacitance

−

1.8

−

Rev. 6−15

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