NTE2585

更新时间： 2024-11-01 22:54:19

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NTE		晶体放大器晶体管功率双极晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	22K
描述
Silicon NPN Transistor High Voltage Amplifier

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NTE2585 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	2.17	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	最大集电极电流 (IC)：	0.02 A
集电极-发射极最大电压：	800 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	40 MHz	Base Number Matches：	1

NTE2585 数据手册

NTE2585

Silicon NPN Transistor

High Voltage Amplifier

Features:

D High Breakdown Voltage

D Low Output Capacitance

D High Reliability

D Intended for High–Density Mounting (Suitable for Sets Whose Height is Restricted)

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V

Collector Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V

Emitter Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20mA

Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60mA

Collector Power Dissipation, P_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.65W

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

Symbol

I_CBO

Test Conditions

V_CB= 800V, I_E= 0

Min Typ Max Unit

–

µA

I_EBO

V_EB= 5V, I_C= 0

h_FE

V_CE= 5V, I_C= 2mA

V_CE= 5V, I_C= 10mA

V_CE= 10V, I_C= 2mA

V_CB= 100V, f = 1MHz

–

Gain–Bandwidth Product

Output Capacitance

f_T

1.6

–

MHz

C_ob

–

Collector Emitter Saturation Voltage V_CE(sat)I_C= 10mA, I_B= 2mA

Base Emitter Saturation Voltage V_BE(sat)I_C= 10mA, I_B= 2mA

–

1.0

1.5

–

Collector Base Breakdown Voltage V_(BR)CBOI_C= 100µA, I_E= 0

Collector Emitter Breakdown Voltage V_(BR)CEOI_C= 1mA, R_BE= ∞

800

–

Emitter Base Breakdown Voltage

V_(BR)EBOI_E= 100µA, I_C= 0

–

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