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NTE2583

更新时间： 2024-11-01 22:54:19

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NTE		晶体稳压器开关晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	26K
描述
Silicon NPN Transistor High Speed Switching Regulator

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NTE2583 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.76
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	400 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	35 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	20 MHz
Base Number Matches：	1

NTE2583 数据手册

NTE2583

Silicon NPN Transistor

High Speed Switching Regulator

Features:

D High Breakdown Voltage and High Reliability

D Fast Switching Speed

D Wide ASO

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A

Pulsed (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20A

Collector Dissipation (T_A= +25°C), P_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W

Collector Dissipation (T_C= +25°C), P_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35W

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Note 1. Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 10%.

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

Symbol

Test Conditions

= 400V, I = 0

Min

–

Typ Max Unit

–

µA

CBO

= 5V, I = 0

–

EBO

= 5V, I = 1.6A

–

= 5V, I = 8A

–

= 5V, I = 10mA

–

Current Gain–Bandwidth Product

Output Capacitance

= 10V, I = 1.6A

120

–

MHz

= 10V, f = 1MHz

–

Collector–Emitter Saturation Voltage

Base–Emitter Saturation Voltage

CE(sat)

BE(sat)

I = 6A, I = 1.6A

–

0.8

1.5

I = 6A, I = 1.6A

–

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