NTE2574

更新时间： 2024-11-01 22:40:39

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NTE		晶体晶体管功率双极晶体管电视放大器局域网
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描述
Silicon Complementary Transistors Video Output for HDTV

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NTE2574 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.43	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	0.4 A
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	10 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	400 MHz
Base Number Matches：	1

NTE2574 数据手册

NTE2574 (NPN) & NTE2575 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

Video Output for HDTV

Features:

D High Collector Emitter Breakdown Voltage: V_CEO= 120V Min

D High Gain Bandwidth Product: f_T= 400MHz Typ

D Low Reverse Transfer Capacitance and Excellent High Frequency Characteristics:

NTE2574: C_re= 2.7pF

NTE2575: C_re= 4.0pF

D Isolated TO220 Type Package

Absolute Maximum Ratings: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400mA

Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600mA

Collector Power Dissipation, P_C

T_C= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.8W

T_A= +50°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10W

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Electrical Characteristics: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

Symbol

I_CBO

Test Conditions

V_CB= 80V, I_E= 0

Min Typ Max Unit

–

0.1

1.0

320

–

µA

I_EBO

V_EB= 2V, I_C= 0

h_FE

V_CE= 10V, I_C= 50mA

V_CE= 10V, I_C= 200mA

V_CE= 10V, I_C= 50mA

100

–

Gain Bandwidth Product

f_T

400

–

MHz

Output Capacitance

NTE2574

C_ob

V_CB= 30V, f = 1MHz

–

3.1

4.4

–

NTE2575

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