NTE2571

更新时间： 2024-11-02 04:36:03

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NTE		晶体开关晶体管功率双极晶体管局域网
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描述
Silicon Complementary Transistors High Current Switch

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NTE2571 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	1.59	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	7 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	30 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	20 MHz
Base Number Matches：	1

NTE2571 数据手册

NTE2570 (NPN) & NTE2571 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

High Current Switch

Features:

D Low Collector–Emitter Saturation Voltage

D High Current Capacity

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7A

Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12A

Collector Power Dissipation, P_C

T_A= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W

T_C= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30W

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector Cut–Off Current

Emitter Cut–Off Current

DC Current Gain

Symbol

I_CBO

Test Conditions

V_CB= 80V, I_E= 0

Min Typ Max Unit

–

0.1

3.0

280

–

I_EBO

V_EB= 4V, I_C= 0

V_CE= 2V, I_C= 1A

V_CE= 2V, I_C= 4A

V_CE= 5V, I_C= 1A

h_FE

100

–

Gain–Bandwidth Product

f_T

–

MHz

Collector–Emitter Saturation Voltage V_CE(sat)

NTE2570

I_C= 5A, I_B= 10mA

–

0.4

0.5

–

NTE2571

Collector–Base Breakdown Voltage

Collector–Emitter Breakdown Voltage V_(BR)CEOI_C= 1mA, R_BE= ∞

Emitter–Base Breakdown Voltage V_(BR)EBOI_C= 1mA, I_C= 0

V_(BR)CBOI_C= 1mA, I_E= 0

–

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