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NTE2540

更新时间： 2024-11-19 22:40:39

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NTE		晶体开关晶体管高压
页数	文件大小	规格书
2页	26K
描述
Silicon NPN Transistor Darlington, High Voltage Switch

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NTE2540 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	2.39
最大集电极电流 (IC)：	6 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	25 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

NTE2540 数据手册

NTE2540

Silicon NPN Transistor

Darlington, High Voltage Switch

Features:

D High DC Current Gain: h_FE= 600 Min (V_CE= 2V, I_C= 2A)

D Monolithic Construction ^w/Built–In Base–Emitter Shunt Resistor

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

Collector Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

Emitter Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6A

Base Current. I_B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A

Collector Power Dissipation, P_C

T_A= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W

T_C= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25W

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

Symbol

I_CBO

Test Conditions

V_CB= 600V, I_E= 0

V_EB= 5V, I_C= 0

Min Typ Max Unit

–

0.5 mA

I_EBO

–

Collector–Emitter Breakdown Voltage

DC Current Gain

V_(BR)CEOI_C= 10mA, I_B= 0

400

600

100

–

h_FE

V_CE= 2V, I_C= 2A

V_CE= 2V, I_C= 4A

–

Collector–Emitter Saturation Voltage

Base–Emitter Saturation Voltage

Emitter–Collector Forward Voltage

Collector Output Capacitance

Turn–On Time

V_CE(sat)I_C= 4A, I_B= 40mA

V_BE(sat)I_C= 4A, I_B= 40mA

–

2.0

2.5

3.0

–

V_ECF

C_ob

t_on

I_E= 4A, I_B= 0

–

V_CB= 50V, I_E= 0, f = 1MHz

–

µs

–

V_CC= 100V,

I_B1= –I_B2= 40mA,

Duty Cycle ≤ 1%

Storage Time

t_stg

t_f

–

Fall Time

–

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