NTE2537

更新时间： 2024-11-20 04:36:03

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NTE		晶体开关晶体管功率双极晶体管局域网
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描述
Silicon Complementary Transistors High Current Switch

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NTE2537 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	2.17
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	40 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NTE2537 数据手册

NTE2536 (NPN) & NTE2537 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

High Current Switch

Features:

D High Current Capacity

D Wide ASO Range

D Low Saturation Voltage

Applications:

D Motor Drivers

D Relay Drivers

D Converters

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110V

Collector Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V

Emitter Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40A

Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65A

Base Current, I_B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12A

Collector Power Dissipation (T_C= +25°C), P_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150W

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

Symbol

I_CBO

Test Conditions

V_CB= 100V, I_E= 0

Min Typ Max Unit

–

0.1

140

–

I_EBO

V_EB= 5V, I_C= 0

V_CE= 2V, I_C= 4A

V_CE= 2V, I_C= 16A

h_FE

–

Collector Emitter Saturation Volt-

age

V_CE(sat)I_C= 16A, I_B= 1.6A

0.8

Base Emitter Saturation Voltage

V_BE(sat)I_C= 16A, I_B= 1.6A

–

1.5

–

Collector Base Breakdown Voltage V_(BR)CBOI_C= 1mA, I_E= 0

110

100

Collector Emitter Breakdown Voltage V_(BR)CEOI_C= 5mA, R_BE= ∞

–

Emitter Base Breakdown Voltage

V_(BR)EBOI_E= 1mA, I_C= 0

–

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