NTE2534

更新时间： 2024-11-01 22:40:39

品牌	Logo	应用领域
NTE		晶体开关小信号双极晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
2页	25K
描述
Silicon Complementary Transistors High Current Switch

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NTE2534 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	12 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	20 MHz	Base Number Matches：	1

NTE2534 数据手册

NTE2534 (NPN) & NTE2535 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

High Current Switch

Features:

D Low Collector Emitter Saturation Voltage

Applications:

D Relay Drivers

D High Speed Inverters

D Converters

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90V

Collector Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V

Emitter Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12A

Pulse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20A

Collector Power Dissipation (T_C= +25°C), P_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

Symbol

I_CBO

Test Conditions

V_CB= 80V, I_E= 0

Min Typ Max Unit

–

0.1 mA

280

I_EBO

V_EB= 4V, I_C= 0

V_CE= 2V, I_C= 1A

V_CE= 2V, I_C= 6A

V_CE= 5V, I_C= 1A

h_FE1

100

–

h_FE2

–

Gain–Bandwidth Product

f_T

–

MHz

Collector–Emitter Saturation Voltage

NTE2534

V_CE(sat)

I_C= 6A, I_B= 600mA

–

0.5

0.4

NTE2535

中文翻译

下载PDF

与NTE2534相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE2535	NTE	获取价格	Silicon Complementary Transistors High Current Switch
NTE2536	NTE	获取价格	Silicon Complementary Transistors High Current Switch
NTE2537	NTE	获取价格	Silicon Complementary Transistors High Current Switch
NTE2538	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor High Voltage, High Current Switch
NTE2539	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor High Voltage, High Speed Switch
NTE253MCP	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| DARLINGTON \| COMPLEMENTARY \| 80V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| TO-126
NTE254	NTE	获取价格	Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier
NTE2540	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor Darlington, High Voltage Switch
NTE2541	NTE	获取价格	Silicon Complementary Transistors Darlington, Motor/Relay Driver
NTE2542	NTE	获取价格	Silicon Complementary Transistors Darlington, Motor/Relay Driver

与NTE2534相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

4
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

2
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

23
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

24

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NTE2534

NTE2534 技术参数

NTE2534 数据手册

与NTE2534相关器件

与NTE2534相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NTE2534

NTE2534 技术参数

NTE2534 数据手册

与NTE2534相关器件

与NTE2534相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？