NTE2533

更新时间： 2024-11-01 22:40:39

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NTE		晶体显示器晶体管功率双极晶体管放大器局域网
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描述
Silicon NPN Transistor High-Definition Color Display Horizontal Deflection Output

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NTE2533 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	2.17
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	25 A
集电极-发射极最大电压：	800 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	4	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	250 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NTE2533 数据手册

NTE2533

Silicon NPN Transistor

High–Definition Color Display

Horizontal Deflection Output

Features:

D High Speed: t_f= 100ns Typ

D High Breakdown Voltage: V_CBO= 1500V

D High Reliability

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector to Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1500V

Collector to Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V

Emitter to Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25A

Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A

Collector Dissipation, P_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250W

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

I_CES

Test Conditions

V_CE= 1500V

V_CB= 800V, I_E= 0

Min Typ Max Unit

Collector Cutoff Current

–

1.0

–

µA

I_CBO

Collector Sustaining Voltage

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

V_CEO(sus)I_C= 100mA, I_B= 0

800

–

I_EBO

h_FE

V_EB= 4V, I_C= 0

V_CE= 5V, I_C= 1A

V_CE= 5V, I_C= 20A

1.0

–

Collector–Emitter Saturation Voltage

Base–Emitter Saturation Voltage

Storage Time

V_CE(sat)I_C= 20A, I_B= 5A

V_BE(sat)I_C= 20A, I_B= 5A

–

1.5

t_stg

t_f

–

µs

I_C= 12A, I_B1= 2.4A,

I_B2= –4.8A

Fall Time

–

0.2

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