NTE2390

更新时间： 2024-10-31 22:54:19

品牌	Logo	应用领域
NTE		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
3页	29K
描述
MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch

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NTE2390 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	1.54	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A
最大漏极电流 (ID)：	12 A	最大漏源导通电阻：	0.2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	75 W	最大功率耗散 (Abs)：	75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	30 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	190 ns	最大开启时间（吨）：	220 ns
Base Number Matches：	1

NTE2390 数据手册

NTE2390

MOSFET

N–Channel Enhancement Mode,

High Speed Switch

Description:

The NTE2390 is an N–Channel Enhancement Mode Power MOS Field Effect Transistor in a TO220

type package designed for low voltage, high speed power switching applications such as switching

regulators, converters, solenoid, and relay drivers.

Features:

D Silicon Gate for Fast Switching Speeds

D I_DSS, V_DC(on), V_GS(th), and SOA Specified at Elevated Temperatures.

D Rugged – SOA is Power Dissipation Limited

D Source–to–Drain Diode Characterized for Use With Inductive Loads

Absolute Maximum Ratings:

Drain–Source Voltage, V_DSS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V

Drain–Gate Voltage (R_GS= 1MΩ), V_DGR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V

Gate–Source Voltage, V_GS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20V

Drain Current, I_D

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12A

Pulsed . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30A

Total Power Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.6W/°C

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Maximum Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.67°C/W

Maximum Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30°C/W

Maximum Lead Temperature (During soldering), T_L. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +275°C

12 3

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NTE2390 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MTD6N10E	MOTOROLA	功能相似	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.400 OHM
STD12NE06L	STMICROELECTRONICS	功能相似	N - CHANNEL 60V - 0.09ohm- 12A TO-251/TO-252 STripFET POWER MOSFET

与NTE2390相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE2391	NTE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
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NTE2394	NTE	获取价格	MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch
NTE2395	NTE	获取价格	MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE2396	NTE	获取价格	MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch
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NTE2397	NTE	获取价格	MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch
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