NTE2389

更新时间： 2024-10-03 22:54:19

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描述
MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch

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NTE2389 数据手册

NTE2389

MOSFET

N–Ch, Enhancement Mode

High Speed Switch

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Drain–Source Voltage, V_DS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V

Drain–Gate Voltage (R_GS= 20kΩ), V_DGR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V

Drain Current, I_D

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35A

Pulsed . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 152A

Gate–Source Voltage, V_GS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±30V

Maximum Power Dissipation, P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125W

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +175°C

Storage Temperature range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +175°C

Maximum Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2°C/W

Typical Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60°C/W

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Static Ratings

Drain–Source Breakdown Voltage BV_DSSI_D= 0.25mA, V_GS= 0

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

2.1

–

Gate Threshold Voltage

V_GS(th)I_D= 1mA, V_DS= V_GS

3.0

4.0

T_J= +25°C

µA

mΩ

Zero Gate Voltage Drain Current

I_DSS

V_DS= 60V,

V_GS= 0

T_J= +125°C

–

0.1

1.0

100

Gate–Source Leakage Current

I_GSS

V_GS= ±30V, V_DS= 0

–

Drain–Source On–State Resistance R_DS(on)I_D= 20A, V_GS= 10V

–

Dynamic Ratings

Forward Transconductance

Input Capacitance

g_fs

I_D= 20A, V_DS= 25V

–

13.5

–

mhos

C_iss

C_oss

C_rss

V_DS= 25V, V_GS= 0, f = 1MHz

1650 2000 pF

Output Capacitance

560 750

300 400

Reverse Transfer Capacitance

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