生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-220AB |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 1.53 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 18 A |
最大漏极电流 (ID): | 18 A | 最大漏源导通电阻: | 0.18 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 125 W | 最大功率耗散 (Abs): | 125 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 72 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
最大关闭时间(toff): | 140 ns | 最大开启时间(吨): | 90 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRF620PBF | VISHAY |
功能相似 |
Power MOSFET | |
IRF640PBF | VISHAY |
功能相似 |
Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NTE2389 | NTE |
获取价格 |
MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch | |
NTE239 | NTE |
获取价格 |
Silicon Controlled Switch (SCS) | |
NTE2390 | NTE |
获取价格 |
MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch | |
NTE2391 | NTE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
NTE2392 | NTE |
获取价格 |
MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch | |
NTE2393 | NTE |
获取价格 |
MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch | |
NTE2394 | NTE |
获取价格 |
MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch | |
NTE2395 | NTE |
获取价格 |
MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch | |
NTE2396 | NTE |
获取价格 |
MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch | |
NTE2396A | NTE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |