NTE2385

更新时间： 2024-01-02 00:44:35

品牌	Logo	应用领域
NTE		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
3页	31K
描述
MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NTE2385 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	1.56
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	510 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9 A	最大漏极电流 (ID)：	8 A
最大漏源导通电阻：	0.85 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	150 W
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	32 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	340 ns
最大开启时间（吨）：	130 ns	Base Number Matches：	1

NTE2385 数据手册

NTE2385

MOSFET

N–Ch, Enhancement Mode

High Speed Switch

Features:

D Dynamic dv/dt Rating

D Repetitive Avalanche Rated

D Fast Switching

D Ease of Paralleling

D Simple Drive Requirements

Absolute Maximum Ratings:

Continuous Drain Current (V_GS= 10V), I_D

T_C= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8.0A

T_C= +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.1A

Pulsed Drain Current (Note 1), I_DM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32A

Power Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125W

Derate Linearly Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0W/°C

Gate–to–Source Voltage, V_GS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20V

Single Pulse Avalanche Energy (Note 2), E_AS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 510mJ

Avalanche Current (Note 1), I_AR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8A

Repetitive Avalanche Energy (Note 1), E_AR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13mJ

Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.5V/ns

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Lead Temperature (During Soldering, 1.6mm from case for 10sec), T_L. . . . . . . . . . . . . . . . . +300°C

Mounting Torque (6–32 or M3 Screw) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 lbfꢀ in (1.1Nꢀ m)

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0°C/W

Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62°C/W

Typical Thermal Resistance, Case–to–Sink (Flat, Greased Surface), R_thCS. . . . . . . . . . . . 0.5°C/W

Note 1. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature.

Note 2. V_DD= 50V, starting T_J= +25°C, L = 14mH, R_G= 25Ω, I_AS= 8A

Note 3. I_SD≤ 8A, di/dt ≤ 100A/µs, V_DD≤ V_(BR)DSS, T_J≤ +150°C

Note 4. Pules Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2%.

12 3

中文翻译

下载PDF

NTE2385 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STP10P6F6	STMICROELECTRONICS	功能相似	P-channel 60 V, 0.15 Î© typ., 10 A STripFETâ
SUP75N06-08	VISHAY	功能相似	N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET

与NTE2385相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE2386	NTE	获取价格	MOSFET N-Channel Enhancemen Mode, High Speed Switch
NTE2387	NTE	获取价格	MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch
NTE2388	NTE	获取价格	MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch
NTE2389	NTE	获取价格	MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE239	NTE	获取价格	Silicon Controlled Switch (SCS)
NTE2390	NTE	获取价格	MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch
NTE2391	NTE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
NTE2392	NTE	获取价格	MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch
NTE2393	NTE	获取价格	MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch
NTE2394	NTE	获取价格	MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch

与NTE2385相关文章

一文带你了解DS28E40主要特征、安全特性、应用场景
2024-07-30

9
RT9172资料手册解读：关节特性、引脚信息、参数说明
2024-07-30

11
一文带你了解SM8760CA资料：主要参数特征
2024-07-30

11
解读MAX3238ECPW：一款多通道RS-232线驱动/接收器
2024-07-30

14

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NTE2385

NTE2385 技术参数

NTE2385 数据手册

NTE2385 替代型号

与NTE2385相关器件

与NTE2385相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NTE2385

NTE2385 技术参数

NTE2385 数据手册

NTE2385 替代型号

与NTE2385相关器件

与NTE2385相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？