NTE2385

更新时间： 2024-11-19 22:54:19

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NTE		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
3页	31K
描述
MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch

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NTE2385 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	1.56
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	510 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9 A	最大漏极电流 (ID)：	8 A
最大漏源导通电阻：	0.85 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	150 W
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	32 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	340 ns
最大开启时间（吨）：	130 ns	Base Number Matches：	1

NTE2385 数据手册

NTE2385

MOSFET

N–Ch, Enhancement Mode

High Speed Switch

Features:

D Dynamic dv/dt Rating

D Repetitive Avalanche Rated

D Fast Switching

D Ease of Paralleling

D Simple Drive Requirements

Absolute Maximum Ratings:

Continuous Drain Current (V_GS= 10V), I_D

T_C= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8.0A

T_C= +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.1A

Pulsed Drain Current (Note 1), I_DM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32A

Power Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125W

Derate Linearly Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0W/°C

Gate–to–Source Voltage, V_GS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20V

Single Pulse Avalanche Energy (Note 2), E_AS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 510mJ

Avalanche Current (Note 1), I_AR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8A

Repetitive Avalanche Energy (Note 1), E_AR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13mJ

Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.5V/ns

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Lead Temperature (During Soldering, 1.6mm from case for 10sec), T_L. . . . . . . . . . . . . . . . . +300°C

Mounting Torque (6–32 or M3 Screw) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 lbfꢀ in (1.1Nꢀ m)

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0°C/W

Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62°C/W

Typical Thermal Resistance, Case–to–Sink (Flat, Greased Surface), R_thCS. . . . . . . . . . . . 0.5°C/W

Note 1. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature.

Note 2. V_DD= 50V, starting T_J= +25°C, L = 14mH, R_G= 25Ω, I_AS= 8A

Note 3. I_SD≤ 8A, di/dt ≤ 100A/µs, V_DD≤ V_(BR)DSS, T_J≤ +150°C

Note 4. Pules Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2%.

12 3

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NTE2385 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STP10P6F6	STMICROELECTRONICS	功能相似	P-channel 60 V, 0.15 Î© typ., 10 A STripFETâ
SUP75N06-08	VISHAY	功能相似	N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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NTE2387	NTE	获取价格	MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch
NTE2388	NTE	获取价格	MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch
NTE2389	NTE	获取价格	MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE239	NTE	获取价格	Silicon Controlled Switch (SCS)
NTE2390	NTE	获取价格	MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch
NTE2391	NTE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
NTE2392	NTE	获取价格	MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch
NTE2393	NTE	获取价格	MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch
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