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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTE2384
NTE2384 PDF预览

NTE2384

更新时间： 2024-11-19 22:54:19
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
2页 28K
描述
MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch

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NTE2384 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-204AA
包装说明：FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.79
Is Samacsys：N外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6 A最大漏极电流 (ID)：6 A
最大漏源导通电阻：1.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-3JESD-30 代码：O-MBFM-P2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：125 W
最大功率耗散 (Abs)：125 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：24 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：PIN/PEG
端子位置：BOTTOM晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：420 ns
最大开启时间（吨）：150 nsBase Number Matches：1

NTE2384 数据手册

 浏览型号NTE2384的Datasheet PDF文件第2页 
NTE2384  
MOSFET  
N–Channel Enhancement Mode,  
High Speed Switch  
Absolute Maximum Ratings:  
Drain–Source Voltage, VDS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V  
Drain–Gate Voltage (RGS = 20kΩ), VDGR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V  
Gate–Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20V  
Pulsed Drain Current (TC = +25°C), IDM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24A  
Continuous Drain Current, ID  
TC = +30°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.0A  
TC = +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.9A  
Total Dissipation (TC = +25°C), Ptot . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125W  
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Maximum Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0°C/W  
Typical Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35°C/W  
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Typ  
Max Unit  
Static Characteristics  
Drain–Source Breakdown Voltage  
Zero–Gate Voltage Drain Current  
V
I = 250µA, V = 0  
800  
–
–
–
V
µA  
mA  
nA  
V
(BR)DSS  
D
GS  
I
V
= 0, V = 800V, T = +25°C  
20  
0.1  
10  
3.0  
1.3  
250  
1.0  
100  
4.0  
1.5  
DSS  
GS  
GS  
DS  
DS  
GS  
DS  
J
V
V
V
V
= 0, V = 800V, T = +125°C  
–
DS  
J
Gate–Body Leakage Current  
Gate Threshold Voltage  
Static Drain–Source On Resistance  
Dynamic Characteristics  
Forward Transconductance  
Input Capactiance  
I
= 0, V = ±20V  
–
GSS  
GS  
V
R
= V , I = 1mA  
2.1  
–
GS(th)  
GS  
D
= 10V, I = 3A  
Ω
DS(on)  
D
g
fs  
V
V
= 25V, I = 3A  
1.8  
–
3.0  
–
mho  
pf  
DS  
D
C
iss  
3900 5000  
= 25V, V = 0, f = 1MHz  
DS  
GS  
Output Capacitance  
C
–
200  
80  
350  
140  
90  
pf  
oss  
Reverse Transfer Capactiance  
Turn–On Time  
C
–
pf  
rss  
t
–
60  
ns  
ns  
ns  
ns  
V
R
= 30V, I = 2.6A, V = 10V,  
d(on)  
DD  
D
GS  
= 50Ω, R  
= 50Ω  
GS  
gen  
Rise Time  
t
–
90  
140  
430  
140  
r
Turn–Off Delay Time  
Fall Time  
t
–
330  
110  
d(off)  
t
f
–
12

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