是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | TO-220AB | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 1.82 |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 雪崩能效等级(Eas): | 510 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 8 A |
最大漏极电流 (ID): | 10.5 A | 最大漏源导通电阻: | 0.3 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 功耗环境最大值: | 75 W |
最大功率耗散 (Abs): | 75 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 42 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
最大关闭时间(toff): | 350 ns | 最大开启时间(吨): | 230 ns |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
STP10P6F6 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
P-channel 60 V, 0.15 Ω typ., 10 A STripFETâ | |
FS70UMJ-06F | RENESAS |
功能相似 |
High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET | |
SUP75N06-08 | VISHAY |
功能相似 |
N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NTE2384 | NTE |
获取价格 |
MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch | |
NTE2385 | NTE |
获取价格 |
MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch | |
NTE2386 | NTE |
获取价格 |
MOSFET N-Channel Enhancemen Mode, High Speed Switch | |
NTE2387 | NTE |
获取价格 |
MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch | |
NTE2388 | NTE |
获取价格 |
MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch | |
NTE2389 | NTE |
获取价格 |
MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch | |
NTE239 | NTE |
获取价格 |
Silicon Controlled Switch (SCS) | |
NTE2390 | NTE |
获取价格 |
MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch | |
NTE2391 | NTE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
NTE2392 | NTE |
获取价格 |
MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch |