NTE2382

更新时间： 2024-10-03 22:54:19

品牌	Logo	应用领域
NTE		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
3页	29K
描述
MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch (Compl to NTE2383)

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NTE2382 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	1.55	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	雪崩能效等级（Eas）：	36 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8 A
最大漏极电流 (ID)：	9.2 A	最大漏源导通电阻：	0.27 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	75 W	最大功率耗散 (Abs)：	75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	37 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	110 ns	最大开启时间（吨）：	170 ns
Base Number Matches：	1

NTE2382 数据手册

NTE2382

MOSFET

N–Channel Enhancement Mode,

High Speed Switch

(Compl to NTE2383)

Description:

The NTE2382 is a MOS power N–Channel FET in a TO220 type package designed for high voltage,

high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid, and relay

drivers.

Features:

D Lower R_DS(ON)

D Improved Inductive Ruggedness

D Fast Switching Times

D Rugged Polysilicon Gate Cell Structure

D Lower Input Capacitance

D Extended Safe Operating Area

D Improved High Temperature Reliability

Absolute Maximim Ratings:

Drain–Source Voltage (Note 1), V_DSS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V

Drain–Gate Voltage (R_GS= 1MΩ, Note 1), V_DGR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V

Gate–Source Voltage, V_GS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20V

Continuous Drain Current, I_D

T_C= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9.2A

T_C= +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.5A

Drain Current, Pulsed (Note 3), I_DM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37A

Gate Current, Pulsed, I_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±1.5A

Single Pulsed Avalanvhe Energy (Note 4), E_AS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36mJ

Avalanche Current, I_AS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9.2A

Total Power Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.4W/°C

Operating Junction Temperature Range, T_opr. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62.5°C/W

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5°C/W

Thermal Resistance, Case–to–Sink (Note 5), R_thCS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.5°C/W

Maximum Lead Temperature (During Soldering, 1/8” from case, 5sec), T_L. . . . . . . . . . . . . . +300°C

Note 1. T_J= +25° to +150°C

Note 2. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2%.

Note 3. Repetitive rating: Pulse width limited by max. junction temperature.

Note 4. L = 64mH, V_DD= 25V, R_G= 25Ω, Starting T_J= +25°C.

Note 5. Mounting surface flat, smooth, and greased.

12 3

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NTE2382 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STP10P6F6	STMICROELECTRONICS	功能相似	P-channel 60 V, 0.15 Î© typ., 10 A STripFETâ
SUP75N06-08	VISHAY	功能相似	N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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NTE2385	NTE	获取价格	MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE2386	NTE	获取价格	MOSFET N-Channel Enhancemen Mode, High Speed Switch
NTE2387	NTE	获取价格	MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch
NTE2388	NTE	获取价格	MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch
NTE2389	NTE	获取价格	MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE239	NTE	获取价格	Silicon Controlled Switch (SCS)
NTE2390	NTE	获取价格	MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch
NTE2391	NTE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,

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