NTE2378

更新时间： 2024-10-31 22:54:19

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NTE		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
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2页	26K
描述
MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch

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NTE2378 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	2.14	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	900 V
最大漏极电流 (ID)：	5 A	最大漏源导通电阻：	3.6 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	10 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NTE2378 数据手册

NTE2378

MOSFET

N–Channel Enhancement Mode,

High Speed Switch

Description:

The NTE2378 is an N–Channel Enhancement Mode Power MOS Field Effect Transistor. Easy drive

and very fast switching times make this device ideal for high speed switching applications. Typical

applications include switching mode power supplies, uninterruptible power supplies, and motor

speed control.

Features:

D Low ON–State Resistance

D Very High–Speed Switching

D Converters

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C)

Drain–Source Voltage, V_DSS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 900V

Gate–Source Voltage, V_GSS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±30V

DC Drain Current, I_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5A

Pulsed Drain Current (Note 1), I_DP. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A

Allowable Power Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120W

Maximum Channel Temperature, T_ch. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Note 1. Pulse Width ≤ 10µs, Duty Cycle ≤ 1%.

Note 2. Be careful in handling the NTE2378 because it has no protection diode between gate and

source.

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

Drain–Source Breakdown Voltage

Zero–Gate Voltage Drain Current

Gate–Source Leakage Current

Cutoff Voltage

V_(BR)DSSI_D= 1mA, V_GS= 0

900

–

I_DSS

I_GSS

V_GS= 0, V_DS= 900V

1.0

V_DS= 0, V_GS= ±30V

–

±100 nA

V_GS(off)V_DS= 10V, I_D= 1mA

–

3.6

–

Ω

Static Drain–Source On Resistance R_DS(on)V_GS= 10V, I_D= 2A

Forward Transconductance g_fsV_DS= 20V, I_D= 2A

–

2.8

2.0

1.0

mho

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