NTE2377

更新时间： 2024-10-31 22:54:19

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NTE		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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2页	26K
描述
MOSFET N-Channel, Enhancement Mode, High Speed

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NTE2377 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.69
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	900 V	最大漏极电流 (ID)：	8 A
最大漏源导通电阻：	1.6 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	36 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NTE2377 数据手册

NTE2377

MOSFET

N–Channel,

Enhancement Mode, High Speed

Description:

The NTE2377 is an N–Channel Enhancement Mode Power MOS Field Effect Transistor. Easy drive

and very fast switching times make this device ideal for high speed switching applications. Typical

applications include switching mode power supplies, uninterruptible power supplies, and motor

speed control.

Features:

D Low ON–State Resistance

D Very High–Speed Switching

D Converters

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Drain–Source Voltage, V_DSS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 900V

Gate–Source Voltage, V_GSS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±30V

DC Drain Current, I_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8A

Pulsed Drain Current (Note 1), I_DP. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36A

Allowable Power Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150W

Maximum Channel Temperature, T_ch. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Note 1. Pulse Width ≤ 10µs, Duty Cycle ≤ 1%.

Note 2. Be careful in handling the NTE2377 because it has no protection diode between gate and

source.

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)DSSI_D= 1mA, V_GS= 0

I_DSSV_GS= 0, V_DS= Max Rating

I_GSSV_DS= 0, V_GS= ±30V

V_GS(off)V_DS= 10V, I_D= 1mA

Test Conditions

Min Typ Max Unit

Drain–Source Breakdown Voltage

Zero–Gate Voltage Drain Current

Gate–Source Leakage Current

Cutoff Voltage

900

–

1.0

–

±100 nA

–

1.6

–

Ω

Static Drain–Source On Resistance R_DS(on)V_GS= 10V, I_D= 4A

Forward Transconductance g_fsV_DS= 20V, I_D= 4A

–

1.2

5.0

2.5

mho

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