NTE2370

更新时间： 2024-11-01 04:36:03

品牌	Logo	应用领域
NTE		晶体电阻器晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	27K
描述
Silicon Complementary Transistors Digital w/2 Built-In 4.7k Bias Resistors

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NTE2370 数据手册

NTE2367 (NPN) & NTE2368 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

Digital ^w/2 Built–In 4.7k Bias Resistors

Features:

D Built–In Bias Resistor (R₁= 4.7kΩ, R₂= 4.7kΩ)

D Small–Sized Package (TO92 type)

Applications:

D Switching Circuit

D Inverter

D Interface Circuit

D Driver

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector to Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V

Collector to Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V

Emitter to Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA

Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mA

Collector Dissipation, P_C

NTE2367 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW

NTE2368 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mW

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +160°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

= 40V, I = 0

Min

–

Typ Max Unit

Collector Cutoff Current

–

0.1

0.5

330

–

µA

CBO

= 40V, I = 0

–

CEO

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

= 5V, I = 0

170

250

–

EBO

= 5V, I = 10mA

Current Gain–Bandwidth Product

NTE2367

= 10V, I = 5mA

–

250

200

3.0

–

MHz

NTE2368

Output Capacitance

= 10V, f = 1MHz

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NTE2370 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
DTA143ZSATP	ROHM	功能相似	暂无描述
RN2206	TOSHIBA	功能相似	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
DTA143ZSA	ROHM	功能相似	Digital transistors (built-in resistors)

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NTE2375	NTE	获取价格	MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE2376	NTE	获取价格	MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE2377	NTE	获取价格	MOSFET N-Channel, Enhancement Mode, High Speed
NTE2378	NTE	获取价格	MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch
NTE2379	NTE	获取价格	MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch
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