NTE2370

更新时间： 2024-11-20 04:36:03

品牌	Logo	应用领域
NTE		晶体电阻器晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	27K
描述
Silicon Complementary Transistors Digital w/2 Built-In 4.7k Bias Resistors

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NTE2370 数据手册

NTE2367 (NPN) & NTE2368 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

Digital ^w/2 Built–In 4.7k Bias Resistors

Features:

D Built–In Bias Resistor (R₁= 4.7kΩ, R₂= 4.7kΩ)

D Small–Sized Package (TO92 type)

Applications:

D Switching Circuit

D Inverter

D Interface Circuit

D Driver

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector to Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V

Collector to Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V

Emitter to Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA

Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mA

Collector Dissipation, P_C

NTE2367 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW

NTE2368 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mW

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +160°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

= 40V, I = 0

Min

–

Typ Max Unit

Collector Cutoff Current

–

0.1

0.5

330

–

µA

CBO

= 40V, I = 0

–

CEO

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

= 5V, I = 0

170

250

–

EBO

= 5V, I = 10mA

Current Gain–Bandwidth Product

NTE2367

= 10V, I = 5mA

–

250

200

3.0

–

MHz

NTE2368

Output Capacitance

= 10V, f = 1MHz

中文翻译

下载PDF

NTE2370 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
DTA143ZSATP	ROHM	功能相似	暂无描述
RN2206	TOSHIBA	功能相似	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
DTA143ZSA	ROHM	功能相似	Digital transistors (built-in resistors)

与NTE2370相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE2371	NTE	获取价格	MOSFET P-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE2372	NTE	获取价格	MOSFET P-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE2373	NTE	获取价格	MOSFET P-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE2374	NTE	获取价格	MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE2375	NTE	获取价格	MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE2376	NTE	获取价格	MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE2377	NTE	获取价格	MOSFET N-Channel, Enhancement Mode, High Speed
NTE2378	NTE	获取价格	MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch
NTE2379	NTE	获取价格	MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE238	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor Color TV, Horizontal Output

与NTE2370相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

24
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

16
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

48
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NTE2370

NTE2370 数据手册

NTE2370 替代型号

与NTE2370相关器件

与NTE2370相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NTE2370

NTE2370 数据手册

NTE2370 替代型号

与NTE2370相关器件

与NTE2370相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？