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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> NTE2367
NTE2367 PDF预览

NTE2367

更新时间： 2024-10-31 22:54:19
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体电阻器小信号双极晶体管开关
页数 文件大小 规格书
2页 27K
描述
Silicon Complementary Transistors Digital w/2 Built-In 4.7k Bias Resistors

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NTE2367 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：1.57
Is Samacsys：N其他特性：DIGITAL, BUILT IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：O-PBCY-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
Base Number Matches：1

NTE2367 数据手册

 浏览型号NTE2367的Datasheet PDF文件第2页 
NTE2367 (NPN) & NTE2368 (PNP)  
Silicon Complementary Transistors  
Digital w/2 Built–In 4.7k Bias Resistors  
Features:  
D Built–In Bias Resistor (R1 = 4.7kΩ, R2 = 4.7kΩ)  
D Small–Sized Package (TO92 type)  
Applications:  
D Switching Circuit  
D Inverter  
D Interface Circuit  
D Driver  
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Collector to Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V  
Collector to Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V  
Emitter to Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10V  
Collector Current, IC  
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA  
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mA  
Collector Dissipation, PC  
NTE2367 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW  
NTE2368 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mW  
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +160°C  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
= 40V, I = 0  
Min  
–
Typ Max Unit  
Collector Cutoff Current  
I
V
V
V
V
V
–
–
0.1  
0.5  
330  
–
µA  
µA  
µA  
CBO  
CB  
CE  
EB  
CE  
CE  
E
I
= 40V, I = 0  
–
CEO  
B
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
I
= 5V, I = 0  
170  
30  
250  
–
EBO  
C
h
FE  
= 5V, I = 10mA  
C
Current Gain–Bandwidth Product  
NTE2367  
f
T
= 10V, I = 5mA  
C
–
–
–
250  
200  
3.0  
–
–
–
MHz  
MHz  
pF  
NTE2368  
Output Capacitance  
C
ob  
V
CB  
= 10V, f = 1MHz  
12

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