Datasheet > NTE2366

NTE2366

更新时间： 2024-11-19 22:54:19

品牌	Logo	应用领域
NTE		晶体视频放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	23K
描述
Silicon PNP Transistor High Voltage Video Amp (Compl to NTE399)

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NTE2366 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	2.18
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	300 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

NTE2366 数据手册

NTE2366

Silicon PNP Transistor

High Voltage Video Amp

(Compl to NTE399)

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA

Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mA

Power Dissipation, P_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0W

Operating Junction Temperature, T_j. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

–

Typ Max Unit

Collector Cutoff Current

–

0.1

–

V_CB= 200V, I_E= 0

µA

CBO

Emitter Cutoff Current

–

V_EB= 4V, I_C= 0

EBO

Collector–Base Breakdown Voltage

Collector–Emitter Breakdown Voltage

Emitter–Base Breakdown Voltage

DC Current Gain

300

–

I_C= 10µA, I_E= 0

(BR)CBO

(BR)CEO

(BR)EBO

–

I_C= 1mA, R_BE= ∞

I_E= 10µA, I_C= 0

–

320

0.6

1.0

–

V_CE= 10V, I_C= 10mA

I_C= 20mA, I_B= 2mA

V_CE= 30V, I_C= 10mA

V_CB= 30V, f = 1MHz

Collector–Emitter Saturation Voltage

Base–Emitter Saturation Voltage

Current Gain–Bandwidth Product

Capacitance

–

CE(sat)

BE(sat)

–

150

2.6

1.8

MHz

–

Reverse Transfer Capacitance

–

中文翻译

下载PDF

与NTE2366相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE2367	NTE	获取价格	Silicon Complementary Transistors Digital w/2 Built-In 4.7k Bias Resistors
NTE2368	NTE	获取价格	Silicon Complementary Transistors Digital w/2 Built-In 4.7k Bias Resistors
NTE2369	NTE	获取价格	Silicon Complementary Transistors Digital w/2 Built-In 4.7k Bias Resistors
NTE237	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-39VAR
NTE2370	NTE	获取价格	Silicon Complementary Transistors Digital w/2 Built-In 4.7k Bias Resistors
NTE2371	NTE	获取价格	MOSFET P-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE2372	NTE	获取价格	MOSFET P-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE2373	NTE	获取价格	MOSFET P-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE2374	NTE	获取价格	MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE2375	NTE	获取价格	MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch

与NTE2366相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

24
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

16
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

48
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NTE2366

NTE2366 技术参数

NTE2366 数据手册

与NTE2366相关器件

与NTE2366相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NTE2366

NTE2366 技术参数

NTE2366 数据手册

与NTE2366相关器件

与NTE2366相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？