NTE2365

更新时间： 2024-11-19 22:54:19

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NTE		晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
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2页	25K
描述
Silicon NPN Transistor High Voltage Horizontal Deflection Output

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NTE2365 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	2.12
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC)：	12 A	集电极-发射极最大电压：	800 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	4
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	180 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NTE2365 数据手册

NTE2365

Silicon NPN Transistor

High Voltage Horizontal Deflection Output

Features:

D High Speed: t_f= 100ns typ

D High Reliability

D High Breakdown Voltage: V_CBO= 1500V

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector to Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1500V

Collector to Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V

Emitter to Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12A

Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30A

Collector Dissipation, P_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 180W

Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

I_CBO

Test Conditions

V_CB= 800V, I_E= 0

V_CE= 1500V, R_BE= 0

Min Typ Max Unit

Collector Cutoff Current

–

µA

I_CES

1.0 mA

Collector Sustaining Voltage

Emitter Cutoff Current

V_CEO(sus)I_C= 100mA, I_B= 0

I_EBOV_EB= 4V, I_C= 0

800

–

1.0 mA

Collector–Emitter Saturation Voltage V_CE(sat)I_C= 10A, I_B= 2.5A

–

Base–Emitter Saturation Voltage

DC Current Gain

V_BE(sat)I_C= 10A, I_B= 2.5A

h_FE(1)V_CE= 5V, I_C= 1A

h_FE(2)V_CE= 5V, I_C= 10A

–

1.5

Storage Time

Fall Time

t_stg

t_f

–

3.0

0.2

µs

I_C= 8A, I_B1= 1.6A, I_B2= –3.2A

–

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