NTE2363

更新时间： 2024-10-31 22:54:19

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NTE		晶体开关放大器小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	25K
描述
Silicon Complementary Transistors High Current General Purpose Amp/Switch

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NTE2363 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	2.17
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

NTE2363 数据手册

NTE2363 (NPN) & NTE2364 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

High Current General Purpose Amp/Switch

Features:

D Low Saturation Voltage

D Large Current Capacity and Wide ASO

Applications:

D Power Supplies

D Relay Drivers

D Lamp Drivers

D Automotive Wiring

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A

Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A

Allowable Collector Dissipation, P_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W

Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Ambient Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Note 1 For PNP device (NTE2364), voltage and current values are negative.

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

Symbol

I_CBO

Test Conditions

V_CB= 50V, I_E= 0

V_EB= 4V, I_C= 0

Min Typ Max Unit

–

0.1

400

–

µA

I_EBO

h_FE(1) V_CE= 2V, I_C= 100mA

h_FE(2) V_CE= 2V, I_C= 1.5A

200

–

Gain Bandwidth Product

f_T

V_CE= 10V, I_C= 50mA

150

–

MHz

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NTE2363 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2SD1207S	ONSEMI	类似代替	PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
KSC2500	FAIRCHILD	功能相似	Medium Power Amplifier & Low Saturation
2SC2500	TOSHIBA	功能相似	TRANSISTOR (STROBE FLASH, MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

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