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NTE2361 PDF预览

NTE2361

更新时间： 2024-11-19 22:54:19
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体开关小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 26K
描述
Silicon Complementary Transistors High Speed Switch

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NTE2361 技术参数

生命周期：Active包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.74
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：200JESD-30 代码：O-PBCY-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHzBase Number Matches：1

NTE2361 数据手册

 浏览型号NTE2361的Datasheet PDF文件第2页 
NTE2361 (NPN) & NTE2362 (PNP)  
Silicon Complementary Transistors  
High Speed Switch  
Description:  
The NTE2361 (NPN) and NTE2362 (PNP) complimentary silicon transistors are designed for gener-  
al–purpose amplifier and high speed switching applications. The high gain of these devices makes  
it possible for them to be driven directly from integrated circuits.  
Features:  
D Very Small–Sized Package  
D High Breakdown Voltage: VCEO = 50V  
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V  
Collector Current, IC  
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA  
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800mA  
Collector Dissipation, PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Note 1. For PNP device (NTE2362), voltage and current values are negative.  
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Collector Cutoff Current  
Symbol  
Test Conditions  
= 40Vdc, I = 0  
Min Typ Max Unit  
I
V
V
V
V
–
–
–
–
0.1  
0.1  
400  
–
µA  
µA  
CBO  
CB  
BE  
CE  
CE  
E
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
I
= 4Vdc  
EBO  
h
FE  
= 5V, I = 10mA  
200  
–
–
C
Gain Bandwidth Product  
f
T
= 10V,  
I = 50mA  
NTE2361  
NTE2362  
200  
300  
MHz  
MHz  
C
–
–
12

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