NTE2361

更新时间： 2024-09-30 22:54:19

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NTE		晶体开关小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	26K
描述
Silicon Complementary Transistors High Speed Switch

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NTE2361 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.74
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	200	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

NTE2361 数据手册

NTE2361 (NPN) & NTE2362 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

High Speed Switch

Description:

The NTE2361 (NPN) and NTE2362 (PNP) complimentary silicon transistors are designed for gener-

al–purpose amplifier and high speed switching applications. The high gain of these devices makes

it possible for them to be driven directly from integrated circuits.

Features:

D Very Small–Sized Package

D High Breakdown Voltage: V_CEO= 50V

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA

Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800mA

Collector Dissipation, P_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Note 1. For PNP device (NTE2362), voltage and current values are negative.

Electrical Characteristics: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector Cutoff Current

Symbol

Test Conditions

= 40Vdc, I = 0

Min Typ Max Unit

–

0.1

400

–

µA

CBO

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

= 4Vdc

EBO

= 5V, I = 10mA

200

–

Gain Bandwidth Product

= 10V,

I = 50mA

NTE2361

NTE2362

200

300

MHz

–

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