NTE2356

更新时间： 2024-11-01 04:36:03

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NTE		晶体电阻器小信号双极晶体管开关
页数	文件大小	规格书
2页	27K
描述
Silicon Complementary Transistors Digital w/2 Built-In 10k Bias Resistors

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NTE2356 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	2.17
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

NTE2356 数据手册

NTE2355 (NPN) & NTE2356 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

Digital ^w/2 Built–In 10k Bias Resistors

Features:

D Built–In Bias Resistor (R₁= 10kΩ, R₂= 10kΩ)

D Small–Sized Package (TO92 type)

Applications:

D Switching Circuit

D Inverter

D Interface Circuit

D Driver

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector to Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V

Collector to Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V

Emitter to Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA

Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mA

Collector Dissipation, P_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +160°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

= 40V, I = 0

Min

–

Typ Max Unit

Collector Cutoff Current

–

0.1

0.5

330

–

µA

CBO

= 40V, I = 0

–

CEO

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

= 5V, I = 0

170

250

–

EBO

= 5V, I = 10mA

Gain Band–width Product

NTE2355

= 10V, I = 5mA

–

250

200

–

MHz

NTE2356

Output Capacitance

NTE2355

= 10V, f = 1MHz

–

3.7

5.5

–

NTE2356

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