NTE2354

更新时间： 2024-11-19 22:54:19

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NTE		晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
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描述
Silicon NPN Transistor High Voltage Horizontal Output for High Definition CRT

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NTE2354 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	TO-3P, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	2.12
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	800 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	8	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	150 W	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NTE2354 数据手册

NTE2354

Silicon NPN Transistor

High Voltage Horizontal Output for High Definition CRT

Applications:

D High–definition color display horizontal deflection output

Features:

D Fast speed: t_f= 100ns Typ

D High breakdown voltage: V_CBO= 1500V

D High reliability

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector–to–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1500V

Collector–to–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V

Emitter–to–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V

Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A

Peak Collector Current, i_cp. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25A

Collector Dissipation (T_C= +25°C), P_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150W

Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

Collector Cutoff Current

Collector Sustain Voltage

Emitter Cutoff Current

I_CES

V_CE= 1500V, R_BE= 0

–

800

–

1.0 mA

V_CEO(sus)I_C= 100mA, I_B= 0

I_EBOV_EB= 4V, I_C= 0

–

1.0 mA

Saturation Voltage

V_CE(sat)I_C= 8A, I_B= 2.0A

–

5.0

1.5

–

Collector–to–Emitter

Saturation Voltage

Base–to–Emitter

V_BE(sat)I_C= 8A, I_B= 2.0A

–

DC Current Gain

Storage Time

Fall Time

h_FE

t_stg

t_f

V_CE= 5V, I_C= 1.0A

–

I_C= 6A, I_B1= 1.2A, I_B2= –2.4A

3.0 µs

0.1 0.2 µs

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