NTE2351

更新时间： 2024-11-19 22:54:19

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NTE		晶体开关放大器小信号双极晶体管达林顿晶体管功率放大器
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描述
Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amp, Switch

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NTE2351 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	1.82	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	4 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NTE2351 数据手册

NTE2351 (NPN) & NTE2352 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

Darlington Power Amp, Switch

Features:

D High DC Current Gain: h_{FE (1)}= 2000 Min @ V_CE= 2V, I_C= 1A

D Low Saturation Voltage: V_CE(sat)= 1.5V Max @ I_C= 3A

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A

Base Current, I_B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400mA

Collector Power Dissipation, P_C

T_A= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W

T_C= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15W

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector Cut–Off Current

Emitter Cut–Off Current

Symbol

I_CBO

Test Conditions

V_CB= 100V, I_E= 0

V_EB= 5V, I_C= 0

Min Typ Max Unit

–

2.5

–

µA

I_EBO

Collector–Emitter Breakdown Voltage V_(BR)CEOI_C= 10mA, I_B= 0

2000

1000

–

DC Current Gain

h_{FE (1)}V_CE= 2V, I_C= 1A

h_{FE (2)}V_CE= 2V, I_C= 3A

–

Collector–Emitter Saturation Voltage V_CE(sat)I_C= 3A, I_B= 6mA

1.5

2.0

Base–Emitter Saturation Voltage

Switching Characteristics

Turn–On Time

V_BE(sat)I_C= 3A, I_B= 6mA

–

t_on

t_stg

t_f

–

0.2

1.5

0.6

–

µs

V_CC= 30V, I_B1= –I_B2= 6mA,

Duty Cycle ≤ 1%

Storage Time

Fall Time

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