NTE235

更新时间： 2024-11-19 22:54:19

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NTE		晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
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描述
Silicon NPN Transistor Final RF Power Output

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NTE235 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SFM
包装说明：	TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	2.14	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	3 A
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	25
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	12 W	最大功率耗散 (Abs)：	12 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

NTE235 数据手册

NTE235

Silicon NPN Transistor

Final RF Power Output

Description:

The NTE235 is an NPN silicon transistor in a TO220 type case designed for use in high power output

amplifier stages such as citizen band communications equipment.

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector–Emitter Voltage (R_BE= 150Ω), V_CER. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75V

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3A

Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5A

Collector Dissipation, P_C

T_A= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2W

T_C= +50°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10W

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Electrical Characteristics: (T_C=+25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

Collector–Base Breakdown Voltage V_(BR)CBOI_C= 100µA, I_B= 0

Collector–Emitter Breakdown Voltage V_(BR)CERI_C= 1mA, R_BE= 150Ω

–

Emitter–Base Breakdown Voltage

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

V_(BR)EBOI_E= 100µA, I_C= 0

–

I_CBO

I_EBO

h_FE

V_CB= 40V, I_E= 0

V_EB= 4V, I_C= 0

–

200

µA

–

V_CE= 5V, I_C= 500mA

–

Collector–Emitter Saturation Voltage V_CE(sat)I_C= 1A, I_B= 100mA

0.15 0.6

0.9 1.2

Base–Emitter Saturation Voltage

Current Gain–Bandwidth Product

Output Capacitance

V_BE(sat)I_C= 1A, I_B= 100mA

–

f_T

C_ob

P_O

V_CE= 10V, I_C= 100mA

V_CB= 10V, f = 1MHz

100 150

–

MHz

–

Power Output

4.0

V_CC= 12V, P_in= 0.2W,

f = 27MHz

Collector Efficiency

–

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