NTE2349

更新时间： 2024-09-30 22:54:19

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NTE		晶体晶体管达林顿晶体管
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描述
Silicon Darlington Transistors High Current, General Purpose

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NTE2349 数据手册

NTE2349 (NPN) & NTE2350 (PNP)

Silicon Darlington Transistors

High Current, General Purpose

Description:

The NTE2349 (NPN) and NTE2350 (PNP) are silicon complementary Darlington transistors in a TO3

type package designed for use as output devices in general purpose amplifier applications.

Features:

D High DC Current Gain: h_FE= 1000 (Min) @ I_C= 25A

h_FE= 400 (Min) @ I_C= 50A

D Diode Protection to Rated I_C

D Monolithic Construction ^w/Built–In Base–Emitter Shunt Resistor

D Junction Temperature to +200°C

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V

Collector–Base Voltage, V_CB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V

Emitter–Base Voltage, V_EB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A

Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100A

Continuous Base Current, I_B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A

Total Power Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300W

Derate Above 25°C @ T_C= +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.71W/°C

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +200°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +200°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.584°C

Lead Temperature (During Soldering, 10sec Max), T_L. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +275°C

Electrical Characteristics: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

Typ

Max Unit

OFF Characteristics

Collector–Emitter Breakdown Voltage

Collector–Emitter Leakage Current

I = 100mA, I = 0

120

–

(BR)CEO

= 120V, R = 1kΩ

CER

= 120V, R = 1kΩ, T = +150°C

–

= 50V, I = 0

–

CEO

Emitter Cutoff Current

= 5V, I = 0

–

EBO

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