NTE2348

更新时间： 2024-01-06 10:28:22

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NTE		晶体开关晶体管
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2页	26K
描述
Silicon NPN Transistor High Voltage, High Speed Switch

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NTE2348

Silicon NPN Transistor

High Voltage, High Speed Switch

Features:

D High Breakdown Voltage, High Reliability

D Fast Switching Speed

D Wide Safe Operating Area

Absolute Maximum ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1100V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12A

Peak (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30A

Base Current, I_B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6A

Collector Dissipation (T_C= +25°C), P_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150W

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Note 1. Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 10%.

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

Symbol

I_CBO

Test Conditions

V_CB= 800V, I_E= 0

V_EB= 5V, I_C= 0

Min Typ Max Unit

–

µA

I_EBO

h_{FE (1)}V_CE= 5V, I_C= 800mA

h_{FE (2)}V_CE= 5V, I_C= 4A

–

Gain Bandwidth Product

Output Capacitance

f_T

V_CE= 10V, I_C800mA

V_CB= 10V, f = 1MHz

–

215

–

MHz

C_ob

–

Collector–Emitter Saturation Voltage V_CE(sat)I_C= 6A, I_B= 1.2mA

Base–Emitter Saturation Voltage V_BE(sat)I_C= 6A, I_B= 1.2mA

–

2.0

1.5

–

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