NTE2346

更新时间： 2024-11-02 04:36:03

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NTE		晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
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2页	29K
描述
Silicon Complementary Transistors General Purpose Darlington, Power Amplifier

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NTE2346 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SFM
包装说明：	SOT-82, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.74	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	6 A
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	750	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	60 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NTE2346 数据手册

NTE2345 (NPN) & NTE2346 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

General Purpose Darlington, Power Amplifier

Description:

The NTE2345 (NPN) and NTE2346 (PNP) are silicon complementary Darlington transistors in an

SOT–82 type package designed for use in audio output stages and general amplifier and switching

applications..

Features:

D High DC Current Gain: h_FE= 750 (Min) @ I_C= 3A, V_CE= 3V

D Junction Temperature to +150°C

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6A

Peak (t_p≤ 10ms, δ ≤ 0.1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A

Base Current, I_B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150mA

Total Power Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60W

Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.08K/W

Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100K/W

Electrical Characteristics: (T_J= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

–

Typ

–

Max Unit

0.2 mA

2mA mA

Collector Cutoff Current

I = 0, V

= 120V

CBO

CEO

EBO

I = 0, V

= 120V, T = +150°C

–

I = 0, V

= 60V

= 5V

–

0.5

CEO

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

I = 0, V

–

EBO

I = 500mA, V = 3V, Note 1

CEO

–

2700

–

I = 3A, V

= 3V, Note 1

750

–

CEO

I = 6A, V

400

–

Note 1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2%.

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