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NTE2344 PDF预览

NTE2344

更新时间： 2024-11-23 04:36:03
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NTE 晶体开关放大器晶体管达林顿晶体管功率放大器
页数 文件大小 规格书
2页 26K
描述
Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amp, Switch

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NTE2344 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：SFM包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：1.97
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：12 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：100JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：80 W最大功率耗散 (Abs)：80 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

NTE2344 数据手册

 浏览型号NTE2344的Datasheet PDF文件第2页 
NTE2328 (NPN) & NTE2329 (PNP)  
Silicon Complementary Transistors  
Audio Power Output  
Features:  
D Recommended for 100W High Fidelity Audio Frequency Amplifier Output Stage  
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V  
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A  
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5A  
Collector Power Dissipation (TC = +25°C), PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150W  
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Collector Cutoff Current  
Emitter Cutoff Current  
Symbol  
ICBO  
Test Conditions  
VCB = 200V, IE = 0  
VBE = 5V, IC = 0  
Min Typ Max Unit  
–
–
–
–
5.0  
5.0  
–
µA  
µA  
V
IEBO  
Collector–Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO IC = 50mA, IB = 0  
200  
55  
35  
–
–
DC Current Gain  
hFE1  
hFE2  
VCE = 5V, IC = 1A  
VCE = 5V, IC = 8A  
–
160  
–
60  
1.5  
1.0  
25  
470  
Collector–Emitter Saturation Voltage VCE(sat) IC = 10A, IB = 1A  
3.0  
1.5  
–
V
V
Base–Emitter Voltage  
VBE  
fT  
VCE = 5V, IC = 8A  
–
Transistion Frequency  
Collector Output Capacitance  
VCE = 5V, IC = 1A  
–
MHz  
pF  
Cob  
VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz  
–
–
12

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