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NTE2343

更新时间： 2024-11-01 22:54:19

品牌	Logo	应用领域
NTE		晶体开关放大器晶体管达林顿晶体管功率放大器
页数	文件大小	规格书
2页	26K
描述
Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amp, Switch

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NTE2343 数据手册

NTE2343 (NPN) & NTE2344 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

Darlington Power Amp, Switch

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V

Collector Current, I_C

DC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12A

Pulse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A

Base Current, I_B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mA

Collector Dissipation (T_C= +25°C), P_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80W

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.56°C/W

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

I = 100mA, I = 0, Note 1

Min

100

–

Typ Max Unit

Collector–Emitter Sustaining Voltage

Collector Cutoff Current

–

100

CEO(sus)

= 100V, I = 0

µA

CBO

= 100V, I = 0

–

CEO

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

= 5V, I = 0

–

EBO

= 3V, I = 3A

1000

750

100

–

= 3V, I = 5A

–

1000

–

= 3V, I = 10A

–

Collector–Emitter Saturation Voltage

Base–Emitter Saturation Voltage

Parallel Diode Forward Voltage

Small–Signal Current Gain

I = 5A, I = 20mA, Note 1

–

2.0

3.0

2.5

4.0

2.0

4.0

–

CE(sat)

I = 10A, I = 100mA, Note 1

–

I = 5A, I = 20mA, Note 1

–

BE(sat)

I = 10A, I = 100mA, Note 1

–

I = 5A, Note 1

–

1.3

1.8

–

I = 10A, Note 1

–

I = 1A, V = 10V, f = 1MHz

Note 1. Pulse Test: Pulse Width = 300µs, Duty Cycle = 1.5%.

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TIP102	FAIRCHILD	功能相似	Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors
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