NTE2342

更新时间： 2024-11-02 04:36:03

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NTE		晶体驱动器小信号双极晶体管达林顿晶体管开关
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2页	26K
描述
Silicon Complementary Transistors Darlington Driver

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NTE2342 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	2.15
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	2000	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

NTE2342 数据手册

NTE2341(NPN) & NTE2342 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

Darlington Driver

Description:

The NTE2341 (NPN) and NTE2342 (PNP) are silicon complementary Darlington transistors in a

TO92 type package designed for general purpose, low frequency applications and as relay drivers.

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

DC Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A

Total Power Dissipation, P_tot

T_A= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800mW

T_A= +25°C, Note 1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W

Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Maximum Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 156K/W

Note 1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125K/W

Note 1. Mounted on a PC Board, max lead length 4mm, mounting pad for collector lead min 10mm

x 10mm.

Electrical Characteristics: (T_J= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector–EmitterBreakdown Voltage V_(BR)CEOI_C= 50mA, I_B= 0

Collector–BaseBreakdown Voltage V_(BR)CBOI_C= 100µA, I_B= 0

Emitter–Base Breakdown Voltage V_(BR)EBOI_E= 100µA, I_C= 0

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

100

–

Collector Cutoff Current

I_CEO

I_CBO

I_EBO

h_FE

V_CE= 40V, I_B= 0

–

500

100

–

V_CB= 100V, I_E= 0

V_CE= 4V, I_C= 0

–

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

–

I_C= 150mA, V_CE= 10V

I_C= 500mA, V_CE= 10V

1000

2000

–

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