NTE2340

更新时间： 2024-11-01 22:54:19

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NTE		晶体开关放大器晶体管功率双极晶体管达林顿晶体管功率放大器
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描述
Silicon NPN Transistor Darlington Power Amp, Switch

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NTE2340 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	NPACK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	1.7	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	8 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	500
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	45 W
最大功率耗散 (Abs)：	45 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	20 MHz	Base Number Matches：	1

NTE2340 数据手册

NTE2340

Silicon NPN Transistor

Darlington Power Amp, Switch

Features:

D 60V Zener Diode Built–In Between Collector and Base

D Very Small Fluctuation in Breakdown Voltages

D Large Energy Handling Capability

D High Speed Switching

Absolute Maximum Ratings: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 ±10V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 ±10V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8A

Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12A

Collector Power Dissipation, P_C

T_A= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.3W

T_C= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45W

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Electrical Characteristics: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector Cut–Off Current

Emitter Cut–Off Current

Symbol

Test Conditions

V_CB= 50V, I_E= 0

V_EB= 7V, I_C= 0

Min Typ Max Unit

I_CBO

–

100 µA

I_EBO

5000

–

Collector–Emitter Breakdown Voltage V_(BR)CEOI_C= 5mA, I_B= 0

2000

500

–

DC Current Gain

h_{FE (1)}V_CE= 3V, I_C= 4A

h_{FE (2)}V_CE= 3V, I_C= 8A

–

Collector–Emitter Saturation Voltage V_CE(sat)I_C= 4A, I_B= 8mA

–

1.5

2.0

–

Base–Emitter Saturation Voltage

Transition Frequency

Turn–On Time

V_BE(sat)I_C= 4A, I_B= 8mA

–

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= 10V, I_C= 0.5A, f = 1MHz

–

0.5

4.0

1.0

–

MHz

µs

–

V_CC= 50V, I_B1= –I_B2= 8mA,

I_C= 4A

Storage Time

–

µs

Fall Time

–

µs

Energy Handling Capability

E_s/b

I_C= 1A, L = 100mH,

–

R_BE= 100Ω

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