NTE234

更新时间： 2024-11-01 22:54:19

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NTE		晶体放大器小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	25K
描述
Silicon PNP Transistor Low Noise, High Gain Amplifier

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NTE234 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.75
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	350	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

NTE234 数据手册

NTE234

Silicon PNP Transistor

Low Noise, High Gain Amplifier

Description:

The NTE234 is a silicon PNP transistor in a TO92 type package designed especially for low noise

preamplifier and small signal industrial amplifier applications. This device features low collector satu-

ration voltage, tight beta control, and excellent low noise characteristics.

Features:

D Low Noise

D High DC Current Gain

D High Breakdown Voltage

D Low Pulse Noise

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Steady State Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA

Emitter Current, I_E. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA

Collector Power Dissipation, P_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +125°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +125°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

Symbol

I_CBO

Test Conditions

V_CB= 120V, I_E= 0

V_EB= 5V, I_C= 0

Min Typ Max Unit

–

100

–

I_EBO

Breakdown Voltage

Collector–to–Emitter

V_(BR)CEOI_C= 1mA, I_B= 0

120

DC Current Gain

h_FEV_CE= 6V, I_C= 2mA

350

–

700

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