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NTE2338 PDF预览

NTE2338

更新时间： 2024-11-01 22:54:19
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体二极管齐纳二极管放大器晶体管达林顿晶体管功率放大器
页数 文件大小 规格书
2页 24K
描述
Silicon NPN Transistor Darlington Power Amp w/Internal Damper & Zener Diode

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NTE2338 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.89
最大集电极电流 (IC)：1.5 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：2000
JEDEC-95代码：TO-126JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：10 W最大功率耗散 (Abs)：10 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTE2338 数据手册

 浏览型号NTE2338的Datasheet PDF文件第2页 
NTE2338  
Silicon NPN Transistor  
Darlington Power Amp w/Internal  
Damper & Zener Diode  
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 ±10V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7V  
Collector Current, IC  
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5A  
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.0A  
Collector Dissipation (TC = +25°C), PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10W  
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Typ  
60  
–
Max Unit  
Collector–Base Breakdown Voltage  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
V
I = 0.1mA, I = 0  
50  
70  
–
V
V
(BR)CBO  
C
E
V
I = 50mA, I = 0  
7
(BR)EBO  
E
C
I
V
= 50V, R = ∞  
–
–
10  
µA  
CEO  
CE  
CE  
BE  
DC Current Gain  
h
FE  
V
= 3V, I = 1A  
2000  
–
30000  
1.5  
2.0  
2.0  
2.5  
–
C
Collector–Emitter Saturation Voltage  
V
V
I = 1A, I = 1mA  
–
–
–
–
–
–
–
V
V
CE(sat)  
C
B
I = 1.5A, I = 1.5mA  
–
C
B
Base–Emitter Saturation Voltage  
I = 1A, I = 1mA  
–
V
BE(sat)  
C
B
I = 1.5A, I = 1.5mA  
–
V
C
B
Turn–On Time  
Turn–Off Time  
t
t
I = 1A, I = –I = 1mA  
0.5  
2.0  
µs  
µs  
on  
C
B1  
B2  
–
off  
12

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