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NTE2303 PDF预览

NTE2303

更新时间： 2024-11-23 22:49:55
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NTE 晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
2页 25K
描述
Silicon NPN Transistor Horizontal Deflection

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NTE2303 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：SFM
包装说明：TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：1.69
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：2.5 A集电极-发射极最大电压：750 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：4.5
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：65 W最大功率耗散 (Abs)：65 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：4 MHz
Base Number Matches：1

NTE2303 数据手册

 浏览型号NTE2303的Datasheet PDF文件第2页 
NTE2303  
Silicon NPN Transistor  
Horizontal Deflection  
Description:  
The NTE2303 is a silicon NPN transistor in a TO220 type package designed for use in small screen  
black and white deflection circuits.  
Features:  
D Collector–Emitter Voltage: VCEX = 1500V  
D Glassivated Base–Collector Junction  
D Switching Times with Inductive Loads: tf = 0.65µs (Typ) @ IC = 2A  
Maximum Ratings:  
Collector–Emitter Voltage, VCEO(sus) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 750V  
Collector–Emitter Voltage, VCEX . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1500V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V  
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5A  
Continuous Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.0A  
Continuous Emitter Current, IE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.5A  
Total Power Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65W  
Derate above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.65W/°C  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +125°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +125°C  
Maximum Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.54°C/W  
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
OFF Characteristics (Note 1)  
Collector–Emitter Sustaining Voltage  
Collector Cutoff Current  
V
I = 50mA, I = 0  
750  
–
–
–
–
–
V
CEO(sus)  
C
B
I
V
CE  
EB  
= 1500V, V = 0  
1.0 mA  
0.1 mA  
CES  
BE  
Emitter Cutoff Current  
I
V
= 5V, I = 0  
–
EBO  
C
ON Characteristics (Note 1)  
Collector–Emitter Saturation Voltage  
Base–Emitter Saturation Voltage  
V
V
I = 2A, I = 660mA  
–
–
–
–
5.0  
1.5  
V
V
CE(sat)  
C
B
I = 2A, I = 660mA  
BE(sat)  
C
B
Note 1 Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle = 2%.  
12

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