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NTE2300

更新时间： 2024-09-15 22:49:55
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NTE 晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
2页 24K
描述
Silicon NPN Transistor High Voltage, Horizontal Output

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NTE2300 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-218
包装说明：TO-3P, 3 PIN针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：1.68
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：5 A集电极-发射极最大电压：800 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：8
JEDEC-95代码：TO-218JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：125 W最大功率耗散 (Abs)：125 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：3 MHz
Base Number Matches：1

NTE2300 数据手册

 浏览型号NTE2300的Datasheet PDF文件第2页 
NTE2300  
Silicon NPN Transistor  
High Voltage, Horizontal Output  
Description:  
The NTE2300 is a silicon NPN transistor in a TO3P type package designed for use in large screen  
color TV deflection circuits.  
Features:  
D High Breakdown Voltage and High Reliability  
D High Switching Speed  
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1500V  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7V  
Collector Current, IC  
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5A  
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16A  
Collector Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120W  
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Electrical Charactertistics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
= 800V, I = 0  
Min  
Typ Max Unit  
Collector Cutoff Current  
I
V
V
V
V
–
–
–
–
–
3
–
–
–
–
–
–
10  
1
µA  
CBO  
CB  
EB  
CE  
CE  
E
Emitter Cutoff Current  
I
= 5V, I = 0  
mA  
EBO  
C
DC Current Gain  
h
FE  
= 5V, I = 1A  
8
–
C
Current–Gain Bandwidth Product  
Collector–Emitter Saturation Voltage  
Base–Emitter Saturation Voltage  
Collector–Base Breakdown Voltage  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
Fall Time  
f
T
= 10V, I = 1A  
–
–
MHz  
V
C
V
CE(sat)  
V
BE(sat)  
I = 4A, I = 0.8A  
–
5.0  
1.5  
–
C
B
I = 4A, I = 0.8A  
–
V
C
B
V
V
V
I = 5mA, I = 0  
1500  
800  
7
V
(BR)CBO  
(BR)CEO  
(BR)EBO  
C
E
I = 100mA, R = ∞  
–
V
C
BE  
I = 200mA, I = 0  
–
V
E
C
t
f
I = 4A, I = 0.8A, I = –1.6A  
–
0.4  
µs  
C
B1  
B2  
12

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