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NTE230

更新时间： 2024-11-08 22:49:55

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NTE		可控硅整流器电视
页数	文件大小	规格书
2页	26K
描述
Silicon Controlled Rectifier (SCR) TV Deflection Circuit

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NTE230 数据手册

NTE230

Silicon Controlled Rectifier (SCR)

TV Deflection Circuit

Features:

D CTV 110° – CRT Horizontal Deflection

D Tracer Switch

Absolute Maximum Ratings:

Repetitive Peak Off–State Voltage (T_J= +100°C), V_DRM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 750V

Non–Repetitive Peak Forward Voltage (T_J= +100°C), V_DSM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V

Repetitive Peak Reverse Voltage, V_RRM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

RMS On–State Current (Note 1), I_T(RMS). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5A

Average On–State Current (Note 1), I_T(AV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2A

Surge Current (Note 1), I_TSM

50Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60A

60Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70A

Critical Rate–of–Rise of On–State Current, di/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200A/µs

Peak Gate Power Dissipation (Note 2), P_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25W

Average Gate Power Dissipation, P_G(AV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mW

Minimum Peak Reverse Gate Voltage, V_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –30V

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +100°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4°C/W

Note 1. Single Phase, Half Sine Wave at 50Hz, T_C= +60°C

Note 2. 10µs duration

Electrical Characteristics:

Parameter

Symbol

I_DRM

V_TM

Test Conditions

V_DRM= 750V, T_J= +100°C

I_TM= 20A, T_C= +25°C

T_C= –40°C V_D= 6V, R_L= 10Ω

T_C= +25°C

Min Typ Max Unit

Peak Off–State Current

Peak On–State Voltage

DC Gate Trigger Current

–

1.5

3.0

I_GT

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