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NTE23

更新时间： 2024-11-24 10:30:27

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NTE		晶体放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	23K
描述
Silicon NPN Transistor Ultra High Frequency Amp

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NTE23 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	TO-92, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	2.17
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	基于收集器的最大容量：	1.1 pF
集电极-发射极最大电压：	14 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	80	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	2000 MHz	Base Number Matches：	1

NTE23 数据手册

NTE23

Silicon NPN Transistor

Ultra High Frequency Amp

Description:

The NTE23 is suitable for a low noise amplifier in the VHF to UHF band.

Features:

D Low Noise Figure: NF 3.0dB Typ. @ f = 500MHz

D High Power Gain: G_pe15dB Typ. @ f = 500MHz

High Cutoff Frequency: f_T= 2.0GHz Typ

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.0V

Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA

Total Power Dissipation, P_T. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250mW

Junction Temperatur, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Electrical Characteristics:

Parameter

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

Symbol

I_CBO

I_EBO

h_FE

Test Conditions

V_CB= 15V, I_E= 0

Min Typ Max Unit

–

0.1

200

–

µA

–

V_EB= 2V, I_C= 0

V_CE= 10V, I_C= 10mA

1.5

–

2.0

Gain–Bandwidth Product

Output Capacitance

Maximum Available Power Gain

Noise Figure

f_T

V_CE= 10V, I_C= 10mA

GHz

C_ob

V_CB= 10V, I_E= 0, f = 1MHz

V_CE= 10V, I_C= 10mA, f = 500MHz

V_CE= 10V, I_C= 3mA, f = 500MHz

0.75 1.1

G_pe

–

3.0

4.0

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NTE23 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NTE65	NTE	完全替代	Silicon NPN Transistor High Voltage, Low Noise for CATV, MATV
NTE108	NTE	类似代替	Silicon NPN Transistor High Frequency Amplifier
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