5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> NTE229
NTE229 PDF预览

NTE229

更新时间： 2024-09-15 22:49:55
品牌 Logo 应用领域
NTE 振荡器晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管PC
页数 文件大小 规格书
2页 23K
描述
Silicon NPN Transistor VHF Oscillator, Mixer, IF Amp

阅读下载

中文翻译

获取价格

NTE229 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-W3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：2.15
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：1338458Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：Transistor BJT NPNSamacsys Package Category：Other
Samacsys Footprint Name：NTE289ASamacsys Released Date：2018-10-10 09:01:16
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.05 A
基于收集器的最大容量：0.4 pF集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-W3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.425 W
最小功率增益 (Gp)：28 dB认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：500 MHzBase Number Matches：1

NTE229 数据手册

 浏览型号NTE229的Datasheet PDF文件第2页 
NTE229  
Silicon NPN Transistor  
VHF Oscillator, Mixer, IF Amp  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V  
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA  
Total Power Dissipation (TA = +25°C), PT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 425mW  
Derate above +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5mW/°C  
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Lead Temperature (During Soldering, 1/16” ±1/32” from case, 10sec), TL . . . . . . . . . . . . . . . +230°C  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
Collector–Base Breakdown Voltage V(BR)CBO IC = 100µA, IE = 0  
30  
3
–
–
–
–
–
–
–
–
–
V
V
Emitter–Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
DC Current Gain  
V(BR)EBO IE = 100µA, IC = 0  
ICBO  
hFE  
VCB = 30V, IE = 0  
–
200  
225  
–
nA  
IC = 5mA, VCE = 10V  
30  
30  
–
Collector–Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) IC = 1mA, IB = 0  
V
V
Base–Emitter ON Voltage  
VBE(on) IC = 5mA, VCE = 10V  
0.85  
–
Current Gain–Bandwidth Product  
fT  
IC = 5mA, VCE = 10V,  
f = 100MHz  
500  
MHz  
Power Gain  
Gpe  
VCC = 12V, VBB = 2.5V,  
f = 45MHz  
28  
–
–
dB  
Collector–Base Capacitance  
Noise Figure  
Ccb  
NF  
IE = 0, VCB = 15V, f = 1MHz  
VCC = 12V, f = 45MHz  
–
–
–
–
0.4  
6
pF  
dB  
12

中文翻译

下载PDF

NTE229 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTE65 NTE

完全替代

 Silicon NPN Transistor High Voltage, Low Noise for CATV, MATV
NTE108 NTE

类似代替

 Silicon NPN Transistor High Frequency Amplifier
NTE107 NTE

类似代替

 Silicon NPN Transistor UHF Oscillator for Tuner

与NTE229相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTE23 NTE

获取价格

 		Silicon NPN Transistor Ultra High Frequency Amp
NTE230 NTE

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier (SCR) TV Deflection Circuit
NTE2300 NTE

获取价格

 		Silicon NPN Transistor High Voltage, Horizontal Output
NTE2301 NTE

获取价格

 		Silicon NPN Transistor High Voltage Horizontal Output
NTE2302 NTE

获取价格

 		Silicon NPN Transistor Color TV Horizontal Deflection Output w/Damper Diode
NTE2303 NTE

获取价格

 		Silicon NPN Transistor Horizontal Deflection
NTE2304 NTE

获取价格

 		Silicon NPN Transistor High Current, High Speed Switch (Compl to NTE2314)
NTE2305 NTE

获取价格

 		Silicon Complementary Transistors High Voltage Power Amplifier
NTE2306 NTE

获取价格

 		Silicon Complementary Transistors High Voltage Power Amplifier
NTE2307 NTE

获取价格

 		Silicon NPN Transistor High Gain Power Amp

与NTE229相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证