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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> NTE229
NTE229 PDF预览

NTE229

更新时间： 2024-11-19 22:49:55
品牌 Logo 应用领域
NTE 振荡器晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管PC
页数 文件大小 规格书
2页 23K
描述
Silicon NPN Transistor VHF Oscillator, Mixer, IF Amp

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NTE229 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-W3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：2.15
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：1338458Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：Transistor BJT NPNSamacsys Package Category：Other
Samacsys Footprint Name：NTE289ASamacsys Released Date：2018-10-10 09:01:16
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.05 A
基于收集器的最大容量：0.4 pF集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-W3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.425 W
最小功率增益 (Gp)：28 dB认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：500 MHzBase Number Matches：1

NTE229 数据手册

 浏览型号NTE229的Datasheet PDF文件第2页 
NTE229  
Silicon NPN Transistor  
VHF Oscillator, Mixer, IF Amp  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V  
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA  
Total Power Dissipation (TA = +25°C), PT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 425mW  
Derate above +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5mW/°C  
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Lead Temperature (During Soldering, 1/16” ±1/32” from case, 10sec), TL . . . . . . . . . . . . . . . +230°C  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
Collector–Base Breakdown Voltage V(BR)CBO IC = 100µA, IE = 0  
30  
3
–
–
–
–
–
–
–
–
–
V
V
Emitter–Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
DC Current Gain  
V(BR)EBO IE = 100µA, IC = 0  
ICBO  
hFE  
VCB = 30V, IE = 0  
–
200  
225  
–
nA  
IC = 5mA, VCE = 10V  
30  
30  
–
Collector–Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) IC = 1mA, IB = 0  
V
V
Base–Emitter ON Voltage  
VBE(on) IC = 5mA, VCE = 10V  
0.85  
–
Current Gain–Bandwidth Product  
fT  
IC = 5mA, VCE = 10V,  
f = 100MHz  
500  
MHz  
Power Gain  
Gpe  
VCC = 12V, VBB = 2.5V,  
f = 45MHz  
28  
–
–
dB  
Collector–Base Capacitance  
Noise Figure  
Ccb  
NF  
IE = 0, VCB = 15V, f = 1MHz  
VCC = 12V, f = 45MHz  
–
–
–
–
0.4  
6
pF  
dB  
12

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