NTE227

更新时间： 2024-09-15 22:49:55

品牌	Logo	应用领域
NTE		晶体放大器小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	23K
描述
Silicon NPN Transistor High Voltage Amp, Video Output

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NTE227 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-237
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	2.18
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	300 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JEDEC-95代码：	TO-237AA
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	2 W
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	Base Number Matches：	1

NTE227 数据手册

NTE227

Silicon NPN Transistor

High Voltage Amp, Video Output

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V

Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA

Power Dissipation (T_A= +25°C), P_Dmax . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 850mW

Power Dissipation (T_{COLLECTOR LEAD}= +25°C), P_Dmax . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W

Maximum Operating Junction Temperature, T_Jmax . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case (T_{COLLECTOR LEAD}= +25°C), R_thJC. . . . . . . . . . . 62.5°C/W

Thermal Resistance, Junction–to–Ambient (T_A= +25°C), R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 147°C/W

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

Symbol

I_CBO

Test Conditions

V_CB= 260V

Min Typ Max Unit

–

100

–

I_EBO

V_EB= 6V

h_FE

I_C= 1mA, V_CE= 10V

I_C= 10mA, V_CE= 10V

300

–

200

–

Collector–Emitter Breakdown Voltage V_(BR)CEOI_C= 1mA

Collector–Base Breakdown Voltage

Emitter–Base Breakdown Voltage

Collector–Emitter Saturation Voltage

Base–Emitter Saturation Voltage

Transition Frequency

V_(BR)CBOI_C= 100µA

–

V_(BR)EBOI_E= 10µA

–

V_CE(sat)I_C= 20mA, I_B= 2mA

V_BE(sat)I_C= 20mA, I_B= 2mA

–

0.25 1.0

0.74 1.0

–

f_T

I_C= 10mA

–

200 MHz

Base–Emitter Saturation Voltage

Capacitance

V_BE(sat)I_C= 10mA

C_ib

0.76

–

中文翻译

下载PDF

与NTE227相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE228A	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor High Voltage Amp, Video Output
NTE229	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor VHF Oscillator, Mixer, IF Amp
NTE23	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor Ultra High Frequency Amp
NTE230	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR) TV Deflection Circuit
NTE2300	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor High Voltage, Horizontal Output
NTE2301	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor High Voltage Horizontal Output
NTE2302	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor Color TV Horizontal Deflection Output w/Damper Diode
NTE2303	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor Horizontal Deflection
NTE2304	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor High Current, High Speed Switch (Compl to NTE2314)
NTE2305	NTE	获取价格	Silicon Complementary Transistors High Voltage Power Amplifier

与NTE227相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

10
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

8
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

90
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

80

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NTE227

NTE227 技术参数

NTE227 数据手册

与NTE227相关器件

与NTE227相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NTE227

NTE227 技术参数

NTE227 数据手册

与NTE227相关器件

与NTE227相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？