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NTE22 PDF预览

NTE22

更新时间： 2024-09-16 10:30:27
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体驱动器放大器小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 23K
描述
Silicon NPN Transistor AF PO, General Purpose Amp, Driver

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NTE22 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.74Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：1 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

NTE22 数据手册

 浏览型号NTE22的Datasheet PDF文件第2页 
NTE22  
Silicon NPN Transistor  
AF PO, General Purpose Amp, Driver  
Features:  
D High Breakdown Voltage: VCEO = 80V  
D Large IC Capacity: IC = 1A DC  
D Good hFE Linearity  
D Low Collector Saturation Voltage  
Applications:  
D Medium Power Output Stages  
D High–Voltage Drivers  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V  
Collector Current, IC  
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A  
Pulse (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A  
Collector Dissipation, PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 900mW  
Junction Temperature, Tj . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +135°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +125°C  
Note 1. PW = 20ms, Duty Cycle = 1/2  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
Collector–Base Breakdown Voltage  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
Symbol  
Test Conditions  
I = 1mA  
Min  
80  
100  
5
Typ Max Unit  
V
–
–
–
–
V
V
(BR)CEO  
(BR)CBO  
C
V
I = 50µA  
C
V
I = 50µA  
E
–
–
V
(BR)EBO  
I
V
CB  
V
EB  
V
CE  
= 80V  
= 4V  
–
–
1
µA  
µA  
CBO  
Emitter Cutoff Current  
I
–
–
1
EBO  
DC Current Gain  
h
FE  
= 3V, I = 50mA  
120  
–
–
270  
0.4  
–
C
Collector Saturation Voltage  
Transition Frequency  
V
CE(sat)  
I = 500A, I = 50mA  
0.15  
100  
20  
V
C
B
f
T
V
= 10V, I = 50mA  
–
MHz  
pF  
CE  
CB  
C
Output Capacitance  
C
ob  
V
= 10V, f = 1MHz  
–
–
12

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